Chế tạo thành công bộ nhớ bán dẫn nhanh nhất thế giới

Chủ nhật: 20:40 ngày 20/04/2025

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán ở thành phố Thượng Hải (Trung Quốc) đã chế tạo thành công một thiết bị bộ nhớ mang tính đột phá mang tên PoX, có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ 1 bit trong 400 pico giây. Đây được xem là thiết bị lưu trữ bán dẫn nhanh nhất từng được công bố.

Bộ nhớ điện tĩnh của thiết bị này vượt trội hơn công nghệ bộ nhớ bay hơi nhanh nhất hiện nay, vốn cần khoảng 1-10 nano giây để lưu trữ 1 bit dữ liệu. Một pico giây bằng khoảng một phần ngàn nano giây hay một phần ngàn tỷ giây. Các loại bộ nhớ bay hơi như SRAM hay DRAM sẽ mất dữ liệu khi mất nguồn cấp điện, không phù hợp với các hệ thống tiêu thụ điện năng thấp.

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán ở Thượng Hải (Trung Quốc).

Ngược lại, các loại bộ nhớ điện tĩnh như flash (loại bộ nhớ không cần nguồn điện để duy trì dữ liệu với tốc độ đọc/ghi nhanh), dù tiết kiệm năng lượng nhưng lại không đáp ứng được yêu cầu truy cập tốc độ cao của trí tuệ nhân tạo.

Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đã phát triển bộ nhớ flash PoX sử dụng graphene Dirac hai chiều với một cơ chế hoàn toàn mới, phá vỡ giới hạn tốc độ của lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh.